| 标题 |
 Leakage characterization of top select transistor for program disturbance optimization in 3D NAND flash 三维NAND flash程序干扰优化中top select晶体管的泄漏特性
相关领域
泄漏（经济）
与非门
晶体管
材料科学
量子隧道
光电子学
排水诱导屏障降低
阈值电压
电子工程
计算机科学
逻辑门
电气工程
工程类
电压
宏观经济学
经济
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| 网址 | |
| DOI |
10.1016/j.sse.2017.11.006
doi
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| 其它 |
期刊：Solid-State Electronics 作者：Yu Zhang; Lei Jin; Dandan Jiang; Xingqi Zou; Zhiguo Zhao; et al 出版日期：2018-03-01 |
| 求助人 | |
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