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Electrical properties of unintentionally doped β-Ga2O3 (010) thin films grown by low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor deposition
低压热壁金属有机化学气相沉积无意掺杂β-Ga2O3(010)薄膜的电学性质
相关领域
化学气相沉积
兴奋剂
薄膜
材料科学
沉积(地质)
分析化学(期刊)
化学
纳米技术
光电子学
环境化学
地质学
古生物学
沉积物
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Jun Jason Morihara; Jin Inajima; Zhenwei Wang; Junya Yoshinaga; Shota Sato; et al 出版日期:2024-07-18 |
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