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Difference Between Atomic Layer Deposition TiAl and Physical Vapor Deposition TiAl in Threshold Voltage Tuning for Metal Gated NMOSFETs
原子层沉积TiAl和物理气相沉积TiAl在金属栅NMOSFET阈值电压调谐中的差异
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Zhao-Yang Li; Xuejiao Wang; Han-Lun Cai; Zhao-Zhang Yan; Yu-Long Jiang; et al 出版日期:2021-12-01 |
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