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Breakdown mechanism in 1 kA/cm2 and 960 V E-mode β-Ga2O3 vertical transistors
1 kA/cm2和960 V E型β-Ga2O3垂直晶体管的击穿机理
相关领域
晶体管
材料科学
光电子学
击穿电压
场效应晶体管
电流密度
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栅极电介质
静电感应晶体管
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Zongyang Hu; Kazuki Nomoto; Wenshen Li; Zexuan Zhang; Nicholas Tanen; et al 出版日期:2018-09-19 |
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