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 Fabrication and Characterization of GaN HEMT with Nitride Buffer/Diamond Junctions 氮化物缓冲/金刚石结GaN HEMT的制备与表征
相关领域
制作
高电子迁移率晶体管
材料科学
氮化镓
缓冲器（光纤）
表征（材料科学）
钻石
光电子学
宽禁带半导体
氮化物
纳米技术
冶金
晶体管
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工程类
医学
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病理
电压
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期刊： 作者：Yosei Sunamoto; Yutaka Ohno; Koji Inoue; Yasuyoshi Nagai; Naoteru Shigekawa; et al 出版日期：2024-10-30 |
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