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Realization of wide electron slabs by polarization bulk doping in graded III–V nitride semiconductor alloys
梯度III-V族氮化物半导体合金极化体掺杂实现宽电子板
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Debdeep Jena; S. Heikman; Daniel Green; D. Buttari; R. Coffie; et al 出版日期:2002-12-02 |
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