Sub-10-nm Diameter Vertical Nanowire p-Type GaSb/InAsSb Tunnel FETs

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标题	Sub-10-nm Diameter Vertical Nanowire p-Type GaSb/InAsSb Tunnel FETs 10nm以下垂直纳米线p型GaSb/InAsSb隧道场效应晶体管相关领域跨导纳米线类型（生物学）光电子学材料科学物理拓扑（电路）电气工程数学晶体管量子力学组合数学工程类电压生态学生物
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3166846
DOI	10.1109/led.2022.3166846 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yanjie Shao; Jesús A. del Alamo 出版日期：2022-04-12
求助人	沐沐在 2025-01-03 15:33:55 发布自山东，悬赏 10 积分
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