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 Remarkable Bias‐Stress Stability of Ultrathin Atomic‐Layer‐Deposited Indium Oxide Thin‐Film Transistors Enabled by Plasma Fluorination 等离子体氟化使超薄原子层沉积氧化铟薄膜晶体管具有显著的偏压稳定性
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
铟
图层（电子）
氧化物
等离子体
原子层沉积
光电子学
晶体管
薄膜
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电压
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Jinxiong Li; Shanshan Ju; Yupu Tang; Jiye Li; Xiao Li; et al 出版日期：2024-06-09 |
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