Reliability Improvement and Effective Switching Layer Model of Thin‐Film MoS2 Memristors

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标题	Reliability Improvement and Effective Switching Layer Model of Thin‐Film MoS2 Memristors MoS2薄膜忆阻器的可靠性改进及有效开关层模型相关领域材料科学可靠性（半导体）制作光电子学图层（电子）记忆电阻器电压蒙特卡罗方法电阻随机存取存储器电子工程纳米技术电气工程功率（物理）工程类医学统计物理替代医学数学病理量子力学
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202214250
DOI	10.1002/adfm.202214250 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yifu Huang; Yuqian Gu; Sivasakthya Mohan; Andrei Dolocan; Nicholas D. Ignacio; et al 出版日期：2023-04-13
求助人	jerry 在 2025-02-18 16:47:56 发布自浙江，悬赏 10 积分
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