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 Simulation of dark current suppression in p–i–n InGaAs photodetector with In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier In0.66Ga 0.34 As/InAs超晶格电子势垒抑制p-i-n InGaAs光电探测器暗电流的模拟
相关领域
超晶格
光电探测器
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材料科学
光电子学
波段图
电子
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物理
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期刊：Infrared Physics & Technology 作者：Jiabing Lv; Jun Chen 出版日期：2016-06-23 |
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