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Corrigendum to: Electrical and dielectric characterization of Ge quantum dots embedded in MIS structure (AuPd/SiO2:Ge QDs/n-Si) grown by MBE [Journal Title: Physica B: Condensed Matter, Volume 685, 15 July 2024, 415962 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S092145262400303X?via%3Dihub]
更正:嵌入MBE生长的MIS结构(AuPd/SiO2:Ge QDs/n-Si)中的Ge量子点的电学和介电学表征[期刊标题:Physica B:Condensed Matter,第685卷,2024年7月15日,415962 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S092145262400303X?via%3Dihub]
相关领域
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期刊:Physica B Condensed Matter 作者:Maha A. Alenizi; Mansour Aouassa; Mohammed Bouabdellaoui; K.M.A. Saron; A.K. Aladim; et al 出版日期:2024-05-13 |
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