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标题
High mobility tungsten-doped indium oxide (IWO) deposited by room-temperature RF sputtering in pure argon plasma
纯氩等离子体室温射频溅射沉积高迁移率钨掺杂氧化铟
相关领域
材料科学 溅射 透明导电膜 兴奋剂 钝化 防反射涂料 异质结 工作职能 光电子学 冶金 原子物理学 纳米技术 薄膜 图层(电子) 物理
网址
DOI
10.1016/j.mssp.2024.108780 doi
其它 期刊:Materials Science in Semiconductor Processing
作者:Francesca Menchini; L. Serenelli; Luca Martini; Glauco Stracci; E. Salza; et al
出版日期:2024-09-03
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花开米兰城 在 2025-02-08 14:32:01 发布自江苏,悬赏 10 积分
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