High‐Performance p‐type 2D FET Based on Monolayer GeC with High Hole Mobility: A DFT‐NEGF Study

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标题	High‐Performance p‐type 2D FET Based on Monolayer GeC with High Hole Mobility: A DFT‐NEGF Study 基于高空穴迁移率单层GeC的高性能p型2D FET的DFT-NEGF研究相关领域材料科学单层晶体管电子迁移率电子线路数码产品场效应晶体管半导体光电子学消散工程物理纳米技术电气工程物理电压工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202200388
DOI	10.1002/aelm.202200388 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Jialin Yang; Chuyao Chen; Jingwen Zhang; Wenhan Zhou; Hengze Qu; et al 出版日期：2022-06-25
求助人	123 在 2024-07-15 14:19:22 发布自陕西，悬赏 10 积分
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