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 Inverse Design of AlGaN/GaN HEMT RF Device with Source Connected Field Plate 源极连接场板AlGaN/GaN HEMT射频器件的逆设计
相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：Advanced Theory and Simulations 作者：A Das; Saimur Rahman Arnab; Xing Xiang; Rafid Hassan Palash; Toiyob Hossain; et al 出版日期：2025-01-06 |
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