Enhancing Performance of GaN/Ga2O3 P‐N Junction Uvc Photodetectors via Interdigitated Structure

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标题	Enhancing Performance of GaN/Ga2O3 P‐N Junction Uvc Photodetectors via Interdigitated Structure 交叉结构增强GaN/Ga2O3 p-n结Uvc光电探测器性能相关领域响应度材料科学电场光电子学光电探测器电极 p-n结半导体耗尽区物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1002/smtd.202301148
DOI	10.1002/smtd.202301148 doi
其它	期刊：Small methods 作者：Ziling Cai; Xiyao He; K. Wang; Xin Hou; Yang Mei; et al 出版日期：2023-12-10
求助人	iii 在 2025-03-13 14:49:48 发布自山东，悬赏 10 积分
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