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标题
Low On-Resistance Normally-Off GaN Double-Channel Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor
低导通电阻常关GaN双沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
相关领域
高电子迁移率晶体管 晶体管 物理 材料科学 光电子学 拓扑（电路） 电气工程 数学 量子力学 组合数学 工程类 电压
网址
https://doi.org/10.1109/led.2015.2489228
DOI
10.1109/led.2015.2489228 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Jin Wei; Shenghou Liu; Baikui Li; Xi Tang; Yunyou Lu; et al
出版日期：2015-10-09
求助人
zlren 在 2025-03-27 22:54:18 发布自江苏，悬赏 10 积分
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