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 Investigation of Retention Characteristics Caused by Charge Loss for Charge Trap NAND Flash Memory 电荷陷阱NAND闪存中电荷损失引起的保持特性研究
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期刊：Journal of Semiconductor Technology and Science/Journal of semiconductor technology and science 作者：Seung Hyun Kim; Sang‐Ho Lee; Kyung Rae Cho; Young‐Min Kim; Seong Jae Cho; et al 出版日期：2017-10-31 |
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