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 Self-limiting growth of ultrathin Ga2O3for the passivation of Al2O3/InGaAs interfaces Al2O3/InGaAs界面钝化用超薄Ga2O3的自限幅生长
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期刊：Applied Physics Express 作者：Wipakorn Jevasuwan; Tatsuro Maeda; Noriyuki Miyata; Masahiro Oda; Toshifumi Irisawa; et al 出版日期：2013-12-13 |
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