Improvement in performance of indium gallium oxide thin film transistor via oxygen mediated crystallization at a low temperature of 200 °C

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标题	Improvement in performance of indium gallium oxide thin film transistor via oxygen mediated crystallization at a low temperature of 200 °C 低温下氧介导结晶提高氧化铟镓薄膜晶体管的性能相关领域材料科学辉长岩薄膜晶体管铟镓阈值电压光电子学薄膜微晶晶体管纳米技术冶金电压电气工程工程类图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2022.01.151
DOI	10.1016/j.ceramint.2022.01.151 doi
其它	期刊：Ceramics international 作者：Hyeong Jin Park; Taikyu Kim; Min Jae Kim; Hojae Lee; Jun Hyung Lim; et al 出版日期：2022-05-01
求助人	YU辰在 2024-04-16 10:23:30 发布自福建，悬赏 10 积分
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