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 Process improvement of p-GaN HEMTs with a u-GaN etching buffer layer inserted 相关领域
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材料科学
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光电子学
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期刊：Applied Physics Express 作者：Chih-Yao Chang; Yao-Luen Shen; Shun-Wei Tang; Tian-Li Wu; Wei-Hung Kuo; et al 出版日期：2022-10-20 |
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