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标题
Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures
晶格应变和SiGe缓冲层厚度对应变Si/SiGe/Si（110）异质结构电学特性的影响
相关领域
材料科学 异质结 分子束外延 光电子学 电子迁移率 硅锗 泄漏（经济） 图层（电子） 外延 凝聚态物理 硅 纳米技术 物理 宏观经济学 经济
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107476
DOI
10.1016/j.mssp.2023.107476 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Taisuke Fujisawa; Atsushi Onogawa; Miki Horiuchi; Yuichi Sano; Chihiro Sakata; et al
出版日期：2023-03-30
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甜美的鸭子 在 2025-03-12 15:41:41 发布自陕西，悬赏 10 积分
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