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 Transient Resistive Switching for Nonvolatile Memory Based on Water‐Soluble Cs4PbBr6 Perovskite Films 基于水溶性Cs4PbBr6钙钛矿薄膜的非易失性存储器瞬态电阻开关
相关领域
钙钛矿（结构）
光电子学
欧姆接触
非易失性存储器
图层（电子）
材料科学
卤化物
瞬态（计算机编程）
电介质
薄膜
纳米技术
化学
无机化学
计算机科学
结晶学
操作系统
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期刊：physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 作者：Ruqi Chen; Jun Xu; Meimei Lao; Zhiwei Liang; Yukai Chen; et al 出版日期：2019-09-04 |
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