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Resistive switching of IGZO-based memristors with electrode modulation and multi-value storage application
IGZO基忆阻器的电极调制电阻开关及多值存储应用
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网址
https://doi.org/10.1007/s00339-024-07760-9
DOI
10.1007/s00339-024-07760-9 doi
其它 期刊：Applied Physics A
作者：Xiongfeng Wang; Guocheng Bao; Xiaopei Chen; Yudong Pang; Wugang Liao
出版日期：2024-08-01
求助人
聪仔 在 2024-12-15 16:51:58 发布自福建，悬赏 10 积分
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