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CMOS-compatible low-loss silicon nitride-assisted double-etching silicon O-band edge coupler with 180-nm minimum width
最小宽度为180nm的CMOS兼容低损耗氮化硅辅助双刻蚀硅O波段边缘耦合器
相关领域
材料科学
硅
光电子学
氮化硅
蚀刻(微加工)
耦合损耗
插入损耗
栅栏
波导管
光学
带宽(计算)
泄漏(经济)
纳米技术
图层(电子)
电信
光纤
物理
计算机科学
经济
宏观经济学
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