标题 |
Damage‐Free Charge Transfer Doping of 2D Transition Metal Dichalcogenide Channels by van der Waals Stamping of MoO3 and LiF
用MoO3和LiF的范德华冲压实现2D过渡金属二硫族化物通道的无损伤电荷转移掺杂
相关领域
材料科学
范德瓦尔斯力
兴奋剂
电荷(物理)
密度泛函理论
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其它 |
期刊:Small Methods 作者:Yongjae Cho; Sol lee; Hyunmin Cho; Donghee Kang; Yeonjin Yi; et al 出版日期:2022-01-17 |
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