标题 |
Performance of strained InGaAs/InAlAs multiple-quantum-well electroabsorption modulators
应变InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收调制器的性能
相关领域
材料科学
光电子学
砷化镓
量子阱
砷化铟镓
调制(音乐)
拉伸应变
光调制器
饱和(图论)
啁啾声
光学
极限抗拉强度
激光器
相位调制
物理
复合材料
数学
组合数学
声学
相位噪声
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Lightwave Technology 作者:T. Ido; H. Sano; Shigehisa Tanaka; David Moss; Hiroaki Inoue 出版日期:1996-01-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|