| 标题 |
 Band‐gap narrowing in heavily doped silicon: A comparison of optical and electrical data 重掺杂硅的带隙变窄：光学和电学数据的比较
相关领域
光致发光
材料科学
硅
兴奋剂
带隙
光电子学
光致发光激发
激发
宽禁带半导体
光谱学
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
冰魂
昏睡的蟠桃
pluto
cdercder
zmnzmnzmn
SYLH
归尘
文献看不懂
sutharsons
iNk
zho
科研助手6
bc
科研小民工
平常的毛豆
back you up
遇上就这样吧
过时的奇迹
8R60d8
kingwill
皖公网安备34019202002308
