Strain-Relaxed InGaN Buffer Layers for Long Wavelength Nitride Devices

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标题	[高分] 学位论文 Strain-Relaxed InGaN Buffer Layers for Long Wavelength Nitride Devices 用于长波长氮化物器件的应变弛豫InGaN缓冲层
网址	https://www.proquest.com/openview/e5a1d2c8e47b0a9de7521c4838...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	Chan, Philip R. University of California, Santa Barbara ProQuest Dissertations & Theses, 2022. 29253432.
求助人	沉淀在 2024-08-22 22:29:39 发布自福建，悬赏 50 积分
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