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 Structural and electronic properties of hydrogenated gallium nitride with vacancy and doping defects 含空位和掺杂缺陷的氢氮氟化物的结构和电子性质
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期刊：Applied Physics A 作者：D. S. Gomes; J.M. Pontes; S. Azevedo 出版日期：2022-11-10 |
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