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 Novel III-V Inverted T-Channel TFET with Dual-Gate Impact on Line Tunneling, with and without Negative Capacitance 具有双栅极对线隧穿影响的新型III-V型倒T沟道TFET，具有和不具有负电容
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Aadil Anam; S. Intekhab Amin; Dinesh Prasad 出版日期：2024-07-01 |
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