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 Study on Breakdown Mechanism and Dynamic Avalanche of SGT MOSFET with Trench Termination 沟槽端接SGT MOSFET击穿机理及动态雪崩研究
相关领域
沟槽
机制（生物学）
MOSFET
雪崩击穿
电击穿
材料科学
光电子学
击穿电压
电气工程
物理
工程类
纳米技术
电压
晶体管
图层（电子）
量子力学
电介质
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期刊： 作者：Jing An; Cailin Wang; Jiaxuan He; J. L. Zhang 出版日期：2024-08-23 |
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