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标题
Strained germanium quantum well p-FinFETs fabricated on 45nm Fin pitch using replacement channel, replacement metal gate and germanide-free local interconnect
使用替代沟道、替代金属栅极和无锗化物局部互连在45nm鳍间距上制造应变锗量子阱P-FinFET
相关领域
锗 锗 互连 材料科学 频道（广播） 水准点（测量） 光电子学 金属浇口 基质（水族馆） 节点（物理） 硅锗 电子工程 电气工程 硅 计算机科学 物理 晶体管 工程类 栅氧化层 电信 海洋学 大地测量学 量子力学 电压 地质学 地理
网址
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223701
DOI
10.1109/vlsit.2015.7223701 doi
其它 期刊：
作者：Liesbeth Witters; Jérôme Mitard; Roger Loo; S. Demuynck; Soon Aik Chew; et al
出版日期：2015-06-01
求助人
个性的半凡 在 2024-12-19 20:33:12 发布自天津，悬赏 10 积分
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