标题 |
Strain Release in GaN Epitaxy on 4° Off‐Axis 4H‐SiC
4°离轴4H-SiC上GaN外延的应变释放
相关领域
材料科学
外延
光电子学
异质结
氮化镓
碳化硅
晶体管
宽禁带半导体
基质(水族馆)
半导体
纳米技术
复合材料
电气工程
地质学
工程类
电压
海洋学
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Materials 作者:Sirui Feng; Zheyang Zheng; Yan Cheng; Yat Hon Ng; Wenjie Song; et al 出版日期:2022-04-02 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|