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 200 cm2/Vs electron mobility and controlled low 1015 cm−3 Si doping in (010) β -Ga2O3 epitaxial drift layers （010）β-Ga2O3外延漂移层中200 cm2/Vs电子迁移率和可控低1015 cm-3Si掺杂
相关领域
外延
兴奋剂
电子迁移率
电子
材料科学
凝聚态物理
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物理
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核物理学
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Carl Peterson; Arkka Bhattacharyya; Kittamet Chanchaiworawit; Rachel Kahler; Saurav Roy; et al 出版日期：2024-10-28 |
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