标题 |
MAPbBr3 Halide Perovskite-Based Resistive Random-Access Memories Using Electron Transport Layers for Long Endurance Cycles and Retention Time
基于MAPbBr3卤化物钙钛矿的具有长续航周期和保持时间的电子传输层的电阻随机存取存储器
相关领域
钙钛矿(结构)
材料科学
光电子学
卤化物
图层(电子)
电阻随机存取存储器
电压
纳米技术
计算机科学
电气工程
化学工程
化学
无机化学
工程类
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Hong Seung KIM*; Joo Sung Kim; Jaeho Choi; Young Hoon Kim; Jun Min Suh; et al 出版日期:2024-01-02 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|