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High-Mobility MOCVD β-Ga2O3 Epitaxy with Fast Growth Rate Using Trimethylgallium
高迁移率三甲基镓快速生长的MOCVD β-Ga2O3外延
相关领域
三甲基镓
金属有机气相外延
三甲基铟
分析化学(期刊)
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期刊:Crystal Growth & Design 作者:Lingyu Meng; Zixuan Feng; Alauddin Bhuiyan; Hongping Zhao 出版日期:2022-05-05 |
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