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![]() 沟槽SiC功率MOSFET的总电离剂量和位移损伤效应
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期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science 作者:Stefano Bonaldo; C. Martinella; Marta Bagatin; Simone Gerardin; Philipp Natzke; et al 出版日期:2024-01-01 |
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