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 A Novel High-Performance Planar InAs/GaSb Face-Tunneling FET With Implanted Drain for Leakage Current Reduction 用于降低漏电流的新型高性能平面InAs/GaSb面隧穿场效应管
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhijun Lv; Hongliang Lü; Yuming Zhang; Yimen Zhang; Yi Zhu; et al 出版日期：2021-02-24 |
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