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Characteristics of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 dual-metal gate modulation-doped field-effect transistors simulated by TCAD
β-（AlxGa1-x）2O3/Ga2O3双金属栅调制掺杂场效应晶体管的TCAD模拟
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网址
https://doi.org/10.1116/6.0003502
DOI
10.1116/6.0003502 doi
其它 期刊：Journal of vacuum science and technology
作者：Xiaole Jia; Yibo Wang; Cizhe Fang; Bochang Li; Zheng‐Dong Luo; et al
出版日期：2024-04-16
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kyrykyry 在 2025-01-07 15:15:51 发布自北京，悬赏 10 积分
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