Computation-in-Memory Based Boolean Circuit Design Using Tunnel FET Based 8T SRAM

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标题	Computation-in-Memory Based Boolean Circuit Design Using Tunnel FET Based 8T SRAM 基于隧道场效应管的8T SRAM基于内存计算的布尔电路设计相关领域功率延迟产品静态随机存取存储器 CMOS芯片计算机科学晶体管阈下传导低功耗电子学神经形态工程学冯·诺依曼建筑电子线路计算嵌入式系统电气工程功率消耗功率（物理）加法器计算机硬件工程类电压物理人工神经网络算法量子力学机器学习操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/icdcot61034.2024.10516006
DOI	10.1109/icdcot61034.2024.10516006 doi
其它	期刊：作者：Aman Gupta; Kapish Pandey; Ashwani Kumar; Sheetal Kulkarni 出版日期：2024-03-15
求助人	可爱芷荷在 2024-10-23 16:15:52 发布自广东，悬赏 10 积分
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