Reinforcement of double built-in electric fields in spiro-MeOTAD/Ga2O3/Si p–i–n structure for a high-sensitivity solar-blind UV photovoltaic detector

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标题	Reinforcement of double built-in electric fields in spiro-MeOTAD/Ga2O3/Si p–i–n structure for a high-sensitivity solar-blind UV photovoltaic detector spiro-MeOTAD/Ga2O3/Si p-i-n结构中双内置电场增强用于高灵敏度太阳盲紫外光伏探测器相关领域材料科学灵敏度（控制系统）光伏系统光电子学探测器光学物理电气工程电子工程工程类
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2021/TC/D1TC03359J
DOI	10.1039/d1tc03359j doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Zuyong Yan; Shan Li; Jianying Yue; Xueqiang Ji; Zeng Liu; et al 出版日期：2021-09-24
求助人	123 在 2024-11-01 22:16:31 发布自山东，悬赏 10 积分
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