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Electronic Performance and Schottky Contact of 2D GeH/InSe and GeH/In2Se3 Heterostructures: Strain Engineering and Electric Field Tunability
二维GeH/InSe和GeH/In2Se3异质结构的电子性能和肖特基接触:应变工程和电场可调性
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期刊:Advanced Theory and Simulations 作者:A. Bafekry; S. Karbasizadeh; Mehrdad Faraji; Hamad Rahman Jappor; Ali Abdolahzadeh Ziabari; et al 出版日期:2024-07-09 |
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