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标题
Influence of Design Considerations on Hot Carrier Injection Degradation of STI-based LDMOS Transistors
设计考虑因素对STI基LDMOS晶体管热载流子注入退化的影响
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LDMOS 浅沟隔离 材料科学 降级（电信） 基质（水族馆） 光电子学 压力（语言学） 氧化物 沟槽 兴奋剂 栅氧化层 晶体管 撞击电离 图层（电子） 电子工程 电气工程 电离 复合材料 离子 化学 冶金 工程类 哲学 地质学 电压 有机化学 语言学 海洋学
网址
https://doi.org/10.1109/ipfa.2018.8452504
DOI
10.1109/ipfa.2018.8452504 doi
其它 期刊：
作者：A. F. Muhammad Alimin; Sharifah Fatmadiana Wan Muhamad Hatta; Norhayati Soin
出版日期：2018-07-01
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yuwei 在 2025-02-20 15:32:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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