标题 |
Hafnia-Based Ferroelectric Transistor with Poly-Si Gates for Gate-First Three-Dimensional NAND Structures
用于栅极优先三维NAND结构的具有多晶硅栅极的铪基铁电晶体管
相关领域
材料科学
哈夫尼亚
与非门
铁电性
光电子学
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电压
立方氧化锆
工程类
陶瓷
复合材料
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