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标题
Hafnia-Based Ferroelectric Transistor with Poly-Si Gates for Gate-First Three-Dimensional NAND Structures
用于栅极优先三维NAND结构的具有多晶硅栅极的铪基铁电晶体管
相关领域
材料科学 哈夫尼亚 与非门 铁电性 光电子学 晶体管 逻辑门 非逻辑 电子工程 电气工程 电介质 NMOS逻辑 电压 立方氧化锆 工程类 陶瓷 复合材料
网址
DOI
10.1021/acsami.4c17210 doi
求助人
tong77 在 2025-01-31 10:41:02 发布自山西,悬赏 10 积分
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