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  Leakage Current Behavior in HfO2/SiO2/Al2O3 Stacked Dielectric on 4H-SiC Substrate 4H-SiC衬底上HfO2/SiO2/Al2O3叠层介质的漏电流行为
相关领域
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Hao Huang; Ying Wang; Ke-Han Chen; Xin-Xing Fei 出版日期：2023-01-01 |
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