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 Effects of Temperature and Bias Voltage on Electron Transport Properties in GaN High-Electron-Mobility Transistors 温度和偏压对GaN高电子迁移率晶体管电子输运特性的影响
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Shijie Pan; Shiwei Feng; Xiang Zheng; Xin He; Xuan Li; et al 出版日期：2021-08-31 |
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