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 Ultralow‐Power Synaptic Transistors Based on Ta2O5/Al2O3 Bilayer Dielectric for Algebraic Arithmetic 基于Ta2O5/Al2O3双层介质的超低功耗代数突触晶体管
相关领域
神经形态工程学
材料科学
神经促进
突触重量
长时程增强
突触后电位
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突触后电流
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计算机科学
神经科学
抑制性突触后电位
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Jiaxin Wang; Jialiang Wang; Jiaona Zhang; Weihong Huang; Xinwei Wang; et al 出版日期：2022-01-22 |
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