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 In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1 T /2 H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides 基于过渡金属二硫族化合物1T/2H异质结的面内肖特基势垒场效应晶体管
相关领域
异质结
肖特基势垒
过渡金属
材料科学
凝聚态物理
阈下摆动
半导体
肖特基二极管
场效应晶体管
单层
原子单位
光电子学
纳米技术
晶体管
物理
化学
量子力学
二极管
生物化学
催化作用
电压
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| 网址 | |
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| 其它 |
期刊：Physical review 作者：Zhi‐Qiang Fan; Xiangwei Jiang; Jun-Wei Luo; Liying Jiao; Ru Huang; et al 出版日期：2017-10-02 |
| 求助人 | |
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