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 High Switching Performance of 1700V, 50A SiC Power MOSFET over Si IGBT/BiMOSFET for Advanced Power Conversion Applications 1700V、50A SiC功率MOSFET在Si IGBT/BiMOSFET上的高开关性能，适用于高级功率转换应用
相关领域
材料科学
MOSFET
碳化硅
肖特基二极管
结温
绝缘栅双极晶体管
电气工程
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二极管
光电子学
功率半导体器件
功率MOSFET
电压
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| DOI |
10.1109/tpel.2015.2432012
doi
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Samir Hazra; Ankan De; Lin Cheng; John W. Palmour; Marcelo Schupbach; et al 出版日期：2015-01-01 |
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