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Intrinsic Ohmic Contacts and Polarity‐Tunable Schottky Barriers in M8X12–Graphene (M = Mo, W; X = S, Se) van der Waals Heterostructures for High‐Performance and Bipolar Device Applications
用于高性能和双极器件应用的M8X12-石墨烯(M=Mo,W;X=S,Se)范德华异质结构中的本征欧姆接触和极性可调肖特基势垒
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期刊:physica status solidi (b) 作者:Yuehua Xu; Qiang Zeng 出版日期:2024 |
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